比较典型的BSI CMOS图像传感器设计(左)，松下的新型OPF/CMOS图像传感器(右)。请注意，与传统的硅光电二极管相比，OPF层有多薄。这允许大面积用于电路，也意味着每个像素可以接受更宽的入射光锥。这将CRA(主光线角度)从传统的30-40º增加到60º。

正如我们在传感器的初始报道中所解释的那样，这款8K传感器“结合了位于CMOS电路顶部的有机感光膜”。这种设计将光捕获元件与读出元件分开，这意味着您不会得到全硅CMOS设计带来的折衷和取舍。

将光捕获过程与传感器的读数分开意味着您可以停止传感器对光敏感，然后花时间读取整个传感器。在传统的CMOS中，曝光通过开始读出过程结束，因此您只能以可以读出所有像素行的速度关闭快门。

同样，创建与像素的光敏部分分开的电荷存储区域可以实现更大的电荷存储容量，从而实现更宽的动态范围捕获。